Рассеивание тепла | Эффективность |
---|---|
Материал | Керамика, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
Прочность | Долговечная |
Устойчивость к температуре | < 700°C |
Применение | Транзисторы, MOSFET, диоды Шоттки, IGBT, высокоплотные коммутационные источники питания, высокочасто |
Вес | Легкая |
---|---|
Рассеивание тепла | Эффективность |
Грубость поверхности | 0.3-08 |
Плотность | 30,7 г/см^3 |
Прочность изоляции | ≥15KV/mm |
Материал | Керамика, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
---|---|
Стены | ≤2‰ |
Механическая прочность | ≥3000 МПа |
Рассеивание тепла | Эффективность |
Прочность | Долговечная |
Вес | Легкая |
---|---|
Размер | Различные размеры |
Теплопроводность | 9~180 МВт/м.к. |
Грубость поверхности | 0.3-08 |
Стены | ≤2‰ |
Теплопроводность | 9~180 МВт/м.к. |
---|---|
Стены | ≤2‰ |
Прочность | Долговечная |
Устойчивость к температуре | < 700°C |
Механическая прочность | ≥3000 МПа |