| Материал | Керамика, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Прочность изоляции | ≥15KV/mm |
| Рабочая температура | До 1000°C |
| Размер | Различные размеры |
| Грубость поверхности | 0.3-08 |
| Рассеивание тепла | Эффективность |
|---|---|
| Материал | Керамика, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
| Прочность | Долговечная |
| Устойчивость к температуре | < 700°C |
| Применение | Транзисторы, MOSFET, диоды Шоттки, IGBT, высокоплотные коммутационные источники питания, высокочасто |
| Вес | Легкая |
|---|---|
| Рассеивание тепла | Эффективность |
| Грубость поверхности | 0.3-08 |
| Плотность | 30,7 г/см^3 |
| Прочность изоляции | ≥15KV/mm |
| Материал | Керамика, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Стены | ≤2‰ |
| Механическая прочность | ≥3000 МПа |
| Рассеивание тепла | Эффективность |
| Прочность | Долговечная |
| Вес | Легкая |
|---|---|
| Размер | Различные размеры |
| Теплопроводность | 9~180 МВт/м.к. |
| Грубость поверхности | 0.3-08 |
| Стены | ≤2‰ |
| Теплопроводность | 9~180 МВт/м.к. |
|---|---|
| Стены | ≤2‰ |
| Прочность | Долговечная |
| Устойчивость к температуре | < 700°C |
| Механическая прочность | ≥3000 МПа |