| Совместимость | Универсальный |
|---|---|
| Применение | Рассеивание тепла для электронных устройств |
| Материал | Керамика, SiC, AL2O3, SIO2 |
| Прочность | Долговечная |
| Электрическая изоляция | Хорошо. |
| Теплопроводность | Высокий |
|---|---|
| Устойчивость к коррозии | Отлично. |
| Совместимость | Универсальный |
| Размер | Различные размеры |
| Механическая прочность | Высокий |
| Устойчивость к температуре | Высокий |
|---|---|
| Размер | Различные размеры |
| Прочность | Долгоиграющий |
| Вес | Легкая |
| Механическая прочность | Высокий |
| Тип | термально проводной лист силикона |
|---|---|
| Производство | Dongguan, Китай |
| Сопротивляемость объема | 1.0*1012 Ом/см |
| Теплопроводящая температура | -40~200℃ |
| термальное проводное | 4.0W.m-1.K-1 |
| Электрическая изоляция | Хорошо. |
|---|---|
| Размер | Различные размеры |
| Прочность | Долговечная |
| вес | Легкая |
| Поверхностная отделка | Гладкий |
| Материал | Керамика, SiC, AL2O3, SIO2 |
|---|---|
| Совместимость | Универсальный |
| Применение | Рассеивание тепла для электронных устройств |
| Поверхностная отделка | Гладкий |
| Размер | Различные размеры |
| Thermal Conductivity | High |
|---|---|
| Corrosion Resistance | Excellent |
| Heat Dissipation | Efficient |
| Surface Finish | Smooth |
| Mechanical Strength | High |
| Теплопроводность | 9~180 МВт/м.к. |
|---|---|
| Стены | ≤2‰ |
| Прочность | Долговечная |
| Устойчивость к температуре | < 700°C |
| Механическая прочность | ≥3000 МПа |
| Рассеивание тепла | Эффективность |
|---|---|
| Материал | Керамика, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
| Прочность | Долговечная |
| Устойчивость к температуре | < 700°C |
| Применение | Транзисторы, MOSFET, диоды Шоттки, IGBT, высокоплотные коммутационные источники питания, высокочасто |
| Материал | Керамика, SiC, Al2O3, SiO2,Al4C3 |
|---|---|
| Стены | ≤2‰ |
| Механическая прочность | ≥3000 МПа |
| Рассеивание тепла | Эффективность |
| Прочность | Долговечная |
